下文詳細介紹武漢市集成電路產(chǎn)業(yè)政策申報指南，一共有十個項目，下文詳細針對每個政策的申報條件、申報材料以及具體政策支持方式都做介紹，有獎勵有補貼，感興趣先了解一下下文吧，各單位或者企業(yè)想要申報具體政策有疑問需要了解隨時直接溝通。

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一、總體政策支持方向

1. 政策支持主營業(yè)務為集成電路設計、制造、封裝、測試、設備、材料以及提供集成電路產(chǎn)業(yè)公共技術（服務）的企業(yè)和社會團體（以下簡稱“集成電路企業(yè)”），重點支持方向為∶

（1）存儲芯片及其相關模塊、控制器芯片、5G及通信芯片、新型顯示芯片、紅外探測芯片、LED驅(qū)動芯片、北斗芯片等產(chǎn)品。

（2）微控制器（含RISC-V架構(gòu)）、功率半導體、模擬及數(shù)?；旌想娐贰⑽C電系統(tǒng)（MEMS）、射頻電路、先進封裝、半導體高端設備、大尺寸硅片、EDA、異構(gòu)計算芯片、化合物半導體等技術。

2. 政策支持事項均應發(fā)生在政策有效期內(nèi)。3. 本政策中的“上一年度”均指會計年度。

4.已享受東湖高新區(qū)“一事一議”政策的企業(yè)，在“一事一議”政策執(zhí)行期內(nèi)不可重復享受下列政策。

二、政策類型

（一）支持人才集聚

（1）申報條件

1.新招聘的集成電路相關專業(yè)的人才應在東湖高新區(qū)首次就業(yè)并與企業(yè)簽訂勞動合同，且在東湖高新區(qū)繳納社會保險金和個人所得稅均在半年以上。高級（正、副）職稱應為政府職能部門頒發(fā)的集成電路相關專業(yè)職稱證書。

2.  集成電路企業(yè)高級管理人員（限額）和技術研發(fā)人員應與單位簽訂2年以上勞動合同，且在東湖高新區(qū)繳納社會保險和個人所得稅滿一年。高級管理人員應在企業(yè)管理層中擔任重要職務、負責公司經(jīng)營管理，技術研發(fā)人員應在企業(yè)從事技術研發(fā)工作。

3. 申報“3551光谷人才計劃”集成電路各類別人才，應滿足3551申報要求。

（2）申報材料

1.企業(yè)營業(yè)執(zhí)照復印件。

2. 企業(yè)近兩年曾獲得區(qū)級相關財政資金支持明細的文件。

3. 企業(yè)上一年度審計報告。

4. 新招聘人才的學位證書、學歷證書、勞動合同復印件，職稱證書復印件，社保在冊證明，薪酬支付憑證，社保繳納憑證和納稅憑證等資料。

5. 高級管理人員和技術研發(fā)人員的學位證書、學歷證書、勞動合同復印件，崗位證明，薪酬支付憑證、上一年度個人所得稅納稅記錄和上一年度社保繳納憑證等資料。

6. 申報“3551光谷人才計劃”集成電路各類別人才，按照當年度3551申報通知及申報指南要求進行申報。

7. 申報企業(yè)及其法人代表對申報材料的真實性及不重復申報承諾。

8. 東湖高新區(qū)管委會要求的其他材料。

（3）支持方式

1. 對新招聘的集成電路相關專業(yè)人才給予安家補助，補助標準為碩士或副高職稱每人9萬元，博士或正高職稱每人15萬元，分三年度等比例撥付。

2. 對集成電路企業(yè)高級管理人員和技術研發(fā)人員，工資薪金部分應納稅所得額超過30萬元至50萬元的，給予每人每年2 萬元薪酬補貼；工資薪金部分應納稅所得額超過50萬元至80萬元的，給予每人每年5萬元薪酬補貼；工資薪金部分應納稅所得額超過80萬元的，給予每人每年8萬元薪酬補貼。年度工資薪金應納稅所得額根據(jù)上一年度個人綜合所得年度匯算統(tǒng)計的數(shù)據(jù)核定。

3. 同一企業(yè)每年高級管理人員補貼人數(shù)不超過3人。

4. 同一人員在東湖高新區(qū)內(nèi)僅能享受一次安家補助。同一支持周期內(nèi)，安家補助和薪酬補貼不可同時享受。

5.已獲得“3551光谷人才計劃”一事一議和重點企業(yè)高端人才等政策支持的集成電路人員，不再享受本政策。

6.同一企業(yè)每年安家補助及薪酬補貼合計最高不超過500 萬元。

（二）支持創(chuàng)業(yè)源頭

按照《武漢東湖新技術開發(fā)區(qū)管理委員會、中國（湖北）自由貿(mào)易試驗區(qū)武漢片區(qū)管理委員會印發(fā)關于支持“硬核科技”企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干政策及實施細則的通知》（武新管〔2021〕5 號），由科創(chuàng)局負責組織申報實施。

（三）支持企業(yè)集聚

（1）申報條件

1.支持周期內(nèi)企業(yè)注冊時間未滿五年，企業(yè)在東湖高新區(qū)租用自用研發(fā)或生產(chǎn)用房，未出（轉(zhuǎn)）租，未改變用途。

2.企業(yè)在東湖高新區(qū)購置自用研發(fā)或生產(chǎn)用房，未出（轉(zhuǎn)）租或出售，未改變用途。

3. 企業(yè)租用或購置非關聯(lián)方的房產(chǎn)。

（2）申報材料

1.企業(yè)營業(yè)執(zhí)照復印件。

2. 企業(yè)近兩年曾獲得區(qū)級相關財政資金支持明細的文件。

3. 企業(yè)上一年度審計報告。

4. 企業(yè)支持周期內(nèi)租用或購置房產(chǎn)的合同、發(fā)票、銀行轉(zhuǎn)賬憑證等。

5.租賃或購置雙方非關聯(lián)方的證明材料。6. 支持周期截止日企業(yè)社保在冊員工名單。

7. 申報企業(yè)及其法人代表對申報材料的真實性及不重復申報承諾。

8. 東湖高新區(qū)管委會要求的其他材料。

（3）支持方式

1.研發(fā)類企業(yè)在東湖高新區(qū)租賃研發(fā)或生產(chǎn)用房，企業(yè)成立未滿2年的給予房租全額補貼，企業(yè)成立2年以上未滿5年的，給予房租50%補貼，每年補貼面積最高不超過1000平米，補貼金額最高不超過200萬元。

2. 生產(chǎn)類企業(yè)在東湖高新區(qū)租賃研發(fā)和生產(chǎn)用房，企業(yè)成立未滿2年的給予房租全額補貼，企業(yè)成立2年以上未滿5年的，給予房租50%補貼，每年補貼面積最高不超過3000平方米，補貼金額最高不超過500萬元。

3. 企業(yè)在東湖高新區(qū)購置研發(fā)或生產(chǎn)用房，按照實付金額的10%給予補貼。如人均面積超過20平方米，則以期末社保在冊人數(shù)為基準，按照人均20平方米計算補貼面積，依據(jù)補貼面積所對應購置價款的10%給予補貼，下一支持周期以期末社保在冊增量人數(shù)為基準核算，同一企業(yè)累計補貼不超過500萬元。

4. 對涉及多項集成電路業(yè)務的企業(yè)，根據(jù)年營業(yè)收入占比最高項業(yè)務確定其申報獎勵的類別。

（四）支持購買設計工具

（1）申報條件

1. 企業(yè)直接購買集成電路IP（知識產(chǎn)權）、EDA（電子設計自動化）并用于研發(fā)。

2. 企業(yè)購買IP（不包含委托技術服務）的，應為授權協(xié)議中IP最終被許可方。

3. 企業(yè)購買EDA的，應與主流EDA供應商簽訂最終用戶使用證明。

4. 申報EDA研發(fā)費用補貼的企業(yè)應從事集成電路自主安全可控EDA工具研發(fā)。

5. 交易主體應為非關聯(lián)企業(yè)。

6.“IP”是指供應方提供的已形成知識產(chǎn)權并完成權屬登記的，可直接用于二次開發(fā)的商品?！拔屑夹g服務”是指委托方提出技術需求，由供應方研發(fā)，之后就該項技術形成知識產(chǎn)權，權屬由雙方自行約定。

（2）申報材料

1.企業(yè)營業(yè)執(zhí)照復印件。

2. 企業(yè)近兩年曾獲得區(qū)級相關財政資金支持明細的文件。3. 企業(yè)上一年度審計報告。

4. 企業(yè)購置IP和EDA費用明細表、合同、發(fā)票、銀行轉(zhuǎn)賬憑證等。

5. 申報EDA研發(fā)費用補貼的企業(yè)提供支持周期內(nèi)的《研發(fā)費用加計扣除優(yōu)惠明細表》，經(jīng)稅務局蓋章的《企業(yè)所得稅年度匯算清繳申報表》全套材料。

6. 交易主體非關聯(lián)證明。

7. 申報企業(yè)及其法人代表對申報材料的真實性及不重復申報承諾。

8. 東湖高新區(qū)管委會要求的其他材料。

（3）支持方式

1.按照購買IP、EDA實際支出費用的20%，給予同一企業(yè)每年最高不超過200萬元補貼。

2.按照EDA研發(fā)費用加計扣除部分的50%，給予同一企業(yè)每年最高不超過3000萬元補貼。

（五）支持企業(yè)流片

（1）申報條件

1. 企業(yè)進行MPW（多項目晶圓）流片，"MPW流片"是指將多個具有相同工藝的集成電路設計放在同一晶圓上流片，按面積分攤流片費用，以降低開發(fā)成本和新產(chǎn)品開發(fā)風險。

2. 企業(yè)進行首輪工程產(chǎn)品流片，"首輪工程產(chǎn)品流片"是指集成電路企業(yè)將其研發(fā)的新型號芯片與芯片制造企業(yè)（或全資子公司）、代流片企業(yè)開展產(chǎn)品量產(chǎn)前的全掩膜板（Full Mask）流片，并就對應型號芯片首次簽訂流片合同，合同所載晶圓數(shù)量不得高于25片，產(chǎn)品已獲得集成電路布圖設計登記證書。流片費用包括∶掩膜版制作費、晶圓購置費、制造端IP授權費、測試加工費。

（2）申報材料

1. 企業(yè)營業(yè)執(zhí)照復印件。

2. 企業(yè)近兩年曾獲得區(qū)級相關財政資金支持明細的文件。

3. 企業(yè)上一年度審計報告。

4. 企業(yè)簽訂的流片合同、發(fā)票、銀行轉(zhuǎn)賬憑證等。

5. 工程產(chǎn)品的集成電路布圖設計登記證書，證書與流片合同所載型號一致。

6. 申報企業(yè)及其法人代表對申報材料的真實性及不重復申報承諾。

7. 東湖高新區(qū)管委會要求的其他材料。

（3）支持方式

1. 在東湖高新區(qū)外開展MPW流片，按照流片費用的10%，給予同一企業(yè)每年最高不超過100萬元補貼。

2. 在東湖高新區(qū)開展MPW流片，按照流片費用的20%，給予同一企業(yè)每年最高不超過200萬元補貼。

3. 在東湖高新區(qū)外開展首輪工程產(chǎn)品流片，按照流片費用的20%，給予同一企業(yè)每年最高不超過500萬元補貼。

4. 在東湖高新區(qū)開展首輪工程產(chǎn)品流片，按照流片費用的30%，給予同一企業(yè)每年最高不超過1500萬元補貼。

（六）支持公共服務平臺建設與運營

（1）申報條件

1.  集成電路公共服務平臺主要包括集成電路設計、專業(yè)測試驗證和中試服務等平臺，取得市級以上科技、發(fā)改、經(jīng)信部門認定或備案。

2. 申報建設運營補貼的平臺需有明確的建設規(guī)劃和前期投入；申報服務合同獎勵的平臺需有相應的服務設施、專業(yè)技術和管理人才隊伍，面向中小型集成電路企業(yè)或研究機構(gòu)提供服務。

（2）申報材料

1. 申報建設運營補貼的平臺提供平臺建設方案、認定或備案文件；上一年度審計報告，或平臺上一年度向代工制造企業(yè)預定機時的合同、發(fā)票、銀行轉(zhuǎn)賬憑證等。

2. 申報服務合同獎勵的平臺提供平臺運營情況、認定或備案文件；上一年度為集成電路企業(yè)提供公共技術服務的企業(yè)名單、服務項目清單及相關合同、發(fā)票、銀行轉(zhuǎn)賬憑證等。

3. 東湖高新區(qū)管委會要求的其他材料。

（3）支持方式

1.對新建的集成電路公共服務平臺，按照實際投資金額中項目自籌資金或運行經(jīng)費中預定機時部分的30%給予補貼，同一平臺每年補貼金額最高不超過1000萬元。

2. 對經(jīng)市級以上認定或備案的集成電路公共服務平臺服務中小型企業(yè)的，按照服務合同實際完成額的15%給予獎勵，同一平臺每年獎勵金額最高不超過300萬元。

（七）支持企業(yè)做大做強

（1）申報條件

1. 企業(yè)年度營業(yè)收入首次突破支持目標金額，其集成電路營業(yè)收入占比應超過50%，不足50%的按其集成電路實際營業(yè)收入核算。

2.首次突破是指自企業(yè)成立之日起首次突破。

（2）申報材料

1. 企業(yè)營業(yè)執(zhí)照復印件。

2. 企業(yè)近兩年曾獲得區(qū)級相關財政資金支持明細的文件。

3. 企業(yè)上一年度審計報告。

4. 申報企業(yè)及其法人代表對申報材料的真實性及不重復申報承諾。

5. 東湖高新區(qū)管委會要求的其他材料。

（3）支持方式

1. 對上一年度營業(yè)收入首次突破2000萬元、5000萬元、1 億元、5億元、10億元的集成電路設計企業(yè)，分別給予50萬元、100萬元、200萬元、500萬元、1000萬元一次性獎勵；

2. 對上一年度營業(yè)收入首次突破10億元、50億元、100億元的集成電路制造企業(yè)，分別給予300萬元、500萬元、100萬元一次性獎勵；

3. 對上一年度營業(yè)收入首次突破1億元、5億元、10億元的集成電路封裝、測試、裝備、材料等企業(yè)，分別給予100萬元、200萬元、400萬元一次性獎勵。

4. 上一年度營業(yè)收入數(shù)據(jù)以企業(yè)在東湖高新區(qū)入統(tǒng)數(shù)據(jù)及年度審計報告為準，數(shù)據(jù)不一致時取低值。以上獎補資金鼓勵用于核心團隊績效獎勵。

5. 對涉及多項集成電路業(yè)務的企業(yè)，根據(jù)年營業(yè)收入占比最高項業(yè)務確定其申報獎勵的類別。

（八）支持補鏈項目建設

（1）申報條件

1.項目于支持周期內(nèi)完工并實現(xiàn)銷售。

2.項目填補東湖高新區(qū)產(chǎn)業(yè)鏈空白。

（2）申報材料

1.企業(yè)營業(yè)執(zhí)照復印件。

2. 企業(yè)近兩年曾獲得區(qū)級相關財政資金支持明細的文件。

3. 企業(yè)上一年度審計報告。

4. 項目備案證。

5. 項目專項審計報告，內(nèi)容包括廠房、土地、各種設備等資金使用明細，并提供相關合同、發(fā)票、銀行轉(zhuǎn)賬憑證等。

6. 新增項目實現(xiàn)銷售的證明材料及其相關憑證。

7. 申報企業(yè)及其法人代表對申報材料的真實性及不重復申報承諾。

8. 東湖高新區(qū)管委會要求的其他材料。

（3）支持方式

1.  集成電路設計項目固定資產(chǎn)投資1000萬元以上的，按照實際投入的20%給予補貼；固定資產(chǎn)投資1億元以上的，按照實際投入的22%給予補貼；補貼金額最高不超過1億元。

2.  集成電路制造項目固定資產(chǎn)投資10億元以上的，按照實際投入的10%給予補貼；固定資產(chǎn)投資30億元以上的，按照實際投入的12%給予補貼；補貼金額最高不超過5億元。

3.  集成電路封裝、測試、設備、材料項目固定資產(chǎn)投資1 億元以上的，按照實際投入的10%給予補貼；固定資產(chǎn)投資10 億元以上的，按照實際投入的12%給予補貼；補貼金額最高不超過2億元。

4.項目固定資產(chǎn)投資規(guī)模以東湖高新區(qū)統(tǒng)計部門認定的數(shù)據(jù)及項目專項審計報告為準，數(shù)據(jù)不一致時取低值。

5. 對涉及多項集成電路業(yè)務的企業(yè)，根據(jù)年營業(yè)收入占比最高項業(yè)務確定其申報獎勵的類別。

（九）實施產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈貫通工程

（1）申報條件

1. 企業(yè)在區(qū)內(nèi)開展集成電路產(chǎn)品采購或銷售活動，采購方及銷售方均為區(qū)內(nèi)企業(yè)。

2. 交易的產(chǎn)品為銷售方自主研發(fā)并已獲得相應知識產(chǎn)權（包括專利權、集成電路布圖設計登記證書等），且直接用于采購方后續(xù)研發(fā)或生產(chǎn)。采購方不應為成本（費用）中心。

3. 交易雙方為非關聯(lián)企業(yè)。

（2）申報材料

1. 企業(yè)營業(yè)執(zhí)照復印件。

2. 企業(yè)近兩年曾獲得區(qū)級相關財政資金支持明細的文件。

3. 企業(yè)上一年度審計報告。

4. 交易雙方為非關聯(lián)企業(yè)的證明材料，交易雙方法人代表對交易雙方企業(yè)無關聯(lián)關系的承諾。

5．交易產(chǎn)品的自主知識產(chǎn)權證明材料，交易事項情況說明。

6．產(chǎn)品交易明細表、合同、發(fā)票、銀行轉(zhuǎn)賬憑證等。

7．申報企業(yè)及其法人代表對申報材料的真實性及不重復申報承諾。

8．東湖高新區(qū)管委會要求的其他材料。

（3）支持方式

對在區(qū)內(nèi)開展來購和銷售活動，按照實際交易金額的10％給于獎勵（來購方、銷售方各給予5％），同一企業(yè)每年勵金額最高不超過1000萬元。

（十）支持舉辦行業(yè)交流培訓賽事活動

（1）申報條件

1．支持周期內(nèi)集成電路企業(yè)在區(qū)內(nèi)開展集成電路領城高峰論壇、技術培訓、創(chuàng)新大賽，行業(yè)沙龍等活動。活動應西向公眾眾舉辦、具有廣泛社會效應。

2．活動舉辦前，活動方案、活動頂算應報東湖高新區(qū)發(fā)展改革局備案。

（2）申報材料

1．企業(yè)曹業(yè)執(zhí)照復印件。

2．企業(yè)近兩年曾獲得區(qū)級相關財政資金支持明細的文件。

3．企業(yè)上一年度審計報告。

4．活動備案材料，活動方案，活動頂算，活動簽到表，活動宣傳證明材料，活動現(xiàn)場照片。

5. 活動費用明細表及相關合同、發(fā)票、銀行轉(zhuǎn)賬憑證等。6. 申報企業(yè)及其法人代表對申報材料的真實性及不重復申報承諾。

7. 東湖高新區(qū)管委會要求的其他材料。

（3）支持方式

按照實際費用的30%，給予單個活動最高50萬元補貼，同一單位每年最高不超過200萬元補貼。